Содержание
Ключевой режим работы биполярного транзистора
Рассмотрим подробнее ключевой режим работы транзистора. На рис. 6.4 показана простейшая схема включения транзистора в таком режиме, для наглядности— с лампочкой в качестве коллекторной нагрузки. Попробуем рассчитать необходимую величину резистора в базе.
Для почти любых схем с биполярными транзисторами характерно, что напряжения в схеме никакой роли не играют, только токи. Можно подключить коллекторную нагрузку хоть к напряжению 200 В, а базовый резистор питать от 5-вольтового источника— если соотношение 2>IJh соблюдается, то транзистор (при условии, конечно, что он рассчитан на такое высокое напряжение) будет послушно переключать 200-вольтовую нагрузку, управляясь от источника 5 В. То есть налицо и усиление сигнала по напряжению!
В нашем примере используется небольшая автомобильная лампочка 12 В, 100 мА (примерно, как для подсветки приборной доски в «Жигулях»), а цепь базы питается от источника 5 В (например, через контакты реле). Расчет такой схемы элементарно прост: при токе в коллекторе 100 мА, в базе должно быть минимум 10 мА (рассчитываем на самый «дубовый» транзистор, реально можно и меньше). О падении между базой и эмиттером забывать не еледует, поэтому считаем, что напряжение на базовом резисторе Re составит 5 В – 0,6 В = 4,4 В, то есть нужное сопротивление будет 440 Ом. Выбираем ближайшее меньшее из стандартного ряда и получаем 430 Ом. Все?
Рис. 6.4. Включение биполярного транзистора в ключевом режиме
Нет, не все. Схема еще не совсем доделана. Она будет работать нормально, если вы поступите так: подключите базовый резистор к напряжению 5 В (лампочка горит), а затем переключите его к «земле» (лампочка гаснет). Но довольно часто встречается случай, когда напряжение на базовый резистор подается-то нормально, а вот при отключении его резистор не присоединяется к «земле», а просто «повисает в воздухе» (именно этот случай и показан на схеме в виде контактов). Так мы не договаривались — чтобы транзистор был в режиме отсечки, надо, чтобы база и эмиттер имели один и тот же потенциал, а какой потенциал у базы, если она «в воздухе»? Это только формально, что ноль, а на самом деле всякие наводки и внутренние процессы в транзисторе формируют небольшой базовый ток. И транзистор не закроется полностью — лампочка будет слабо светиться! Это раздражающий и очень неприятный эффект, который даже может привести к выходу транзистора из строя (а старые германиевые транзисторы приводил с гарантией).
Избежать такого эффекта просто: надо замкнуть базу и эмиттер еще одним резистором Кбэ. Самое интересное, что рассчитывать его практически не надо — лишь бы падение напряжения на нем при подаче напряжения на базу не составило меньше чем 0,6 В. Чем он больше, тем лучше, но все же сопротивление не должно быть слишком велико. Обычно его выбирают примерно в 10 раз больше, чем резистор Re, но если вы здесь поставите не 4,3 кОм, как указано на схеме, а, к примеру, 10 кОм, тоже не ошибетесь. Работать этот резистор будет так: если включающее напряжение на Re подано, то он не оказывает никакого влияния на работу схемы, так как напряжение между базой и эмиттером все равно 0,6 В, и он только отбирает на себя очень небольшую часть базового тока (легко подсчитать какую — примерно 0,15 мА из 10 мА). А если напряжения нет, то R63 надежно обеспечивает равенство потенциалов базы и эмиттера, независимо от того, подключен ли базовый резистор к «земле» или «висит в воздухе».
Я так подробно остановился на этом моменте потому, что о необходимости наличия резистора R63 при работе в ключевом режиме часто забывают — даже в очень интересной во всех отношениях книге повсеместно встречается эта ошибка.
Простейшая ключевая схема есть вариант т. н. схемы включения транзистора с общим эмиттером (о. э.). В наших примерах есть два момента, на которые стоит обратить внимание. Во-первых, это подключение базовой цепи к питанию от 5 В. Это очень часто встречающийся случай, с которым и в этой книге вам придется иметь дело. Напряжением 5 В обычно питаются распространенные типы контроллеров и логических микросхем, и управление таким напряжением устройствами, которым требуется более высокое питание, чаще всего осуществляется именно по схеме рис. 6.4.
Во-вторых, обратите внимание, что сигнал на коллекторе транзистора инвертирован (то есть противоположен по фазе) по отношению к входному сигналу. То есть, если на базе (точнее, на базовом резисторе) напряжение имеется — на коллекторе оно равно нулю, и наоборот! Это и имеют в виду, когда говорят, что транзисторный каскад в схеме с общим эмиттером инвертирует сигнал (это относится не только к ключевому, но и к усилительному режиму работы, о котором будет рассказано). При этом на нагрузке (лампочке), которая подключена к питанию, а не к общей для входа и выхода каскада «земле», все в порядке — то есть она горит, когда на входе сигнал есть, так что визуальный сигнал не инвертирован.
Поговорим немного о дарлингтоновских транзисторах. Транзистор Дарлингтона (его часто называют транзистор с «супербетой», мы будем называть его и так, и так) есть две транзисторные структуры, включенные каскадно, как показано на рис. 6.5, а. Разумеется, можно соорудить такую структуру самостоятельно (левый транзистор обычно меньшей мощности, чем правый), но существуют и приборы, выпускаемые промышленно (на рис. 6.5, а общий корпус показан пунктиром). Величина Р для них равна произведению коэффициентов усиления для каждого из транзисторов и может составлять до нескольких тысяч. При использовании таких «супербета»-транзисторов обязательно следует иметь в виду то обстоятельство, что рабочее напряжение между базой и эмиттером у них будет составлять примерно удвоенную величину от обычного транзистора — то есть 1,2—1,4 В. Сопротивление резистора, как сказано ранее, принципиального значения не имеет и для мощных транзисторов может составлять несколько килоом.
Рис. 6.5. Другие схемы подключения: а — транзистор Дарлингтона; б — параллельное включение транзисторов
На рис. 6.5, б приведена редко требующаяся, но весьма полезная схема параллельного включения мощных транзисторов с целью увеличения допустимого коллекторного тока и рассеиваемой мощности (см. далее). Она немного напоминает схему Дарлингтона, но никакого умножения «бет» там, естественно, не происходит— суммируются только предельно допустимые показатели. Так как транзисторы всегда немного отличаются друг от друга, то для выравнивания токов через них в этой схеме служат резисторы в эмиттерных цепях, которые нужно выбирать так, чтобы падение напряжения на них при максимальном токе составляло примерно 0,2 В. Естественно, эти резисторы ухудшают КПД, поэтому для таких целей удобнее использовать мощные полевые транзисторы, для которых в аналогичном включении использования резисторов не требуется.
22. Ключевой режим работы транзистора.
В этом режиме рабочая точка может находиться только в двух возможных положениях: либо в зоне отсечки (транзистор заперт и его можно рассматривать как разомкнутый ключ), либо в зоне насыщения (транзистор полностью открыт и его можно рассматривать как замкнутый ключ). В активной зоне рабочая точка находится только в течение короткого промежутка времени, необходимого для перехода её из одной зоны в другую. Поэтому при работе в ключевом режиме линия нагрузки может на среднем своем участке выходить за пределы гиперболы допустимых мощностей, при условии, что переход транзистора из закрытого состояния в открытое и наоборот производится достаточно быстро (рис. 3.38).
Как уже было показано выше, транзистор в режиме отсечки можно представить в виде разомкнутого ключа, так как практически все напряжение источника питания падает между его эмиттером и коллектором, а ток коллектора близок к нулю. Входное напряжениеприложено к эмиттерному переходу транзистора в запирающем направлении (рис. 3.39).
В режиме насыщения во входной цепи транзистора протекает достаточно большой ток базы, при котором ток коллектора достигает максимального значения , близкого к–максимально возможному току в цепи источника питания. При этом напряжениетранзистора имеет минимальное значение , близкое к нулю, что позволяет представить транзистор в виде замкнутого ключа. Отсюда и название этого режима работы – ключевой. В режиме насыщения напряжение на коллекторном переходеможет быть определено:
+(3.54)В обычном режиме напряжениесмещает коллекторный переход в обратном направлении, т. е.< 0
Ток коллектора ,β-коэффициент передачи по току, может достичь величины, при которой(критерием насыщения транзистора ).
Минимальное значение базового тока, при котором выполняется условие, называется током насыщения .Чем больше базовый ток значения , тем глубже насыщение транзистора, тем больше заряд инжектированных из эмиттера носителей накапливается в базе. Относительное значение этого превышения называется степенью насыщения транзистора N.
25 К элементам булевой алгебры относят:1)const-логические 0 и 1;2)переменные-х1,х2,х3..;3)функции у=f(x1,x2,x3..)
Логические элементы. Элемент И — это логическая схема, на выходе которой 1 появляется только тогда, когда на все его входы поступает сигнал 1. Если на какой-либо из входов
поступает О, на выходе появляется О.
На рис. 12.46 показаны стандартные обозначения, используемые для элементов И. Элемент И может иметь любое количество входов, большее одного.
Состояние и логическую связь между входными и выходными сигналами элемента И отражает так называемая таблица истинности (табл. 12.2), которая показывает выходное состояние двухвходово-го элемента для любых возможных состояний входов: А и В — входы; У — выход.
Элемент И выполняет операцию логического умножения. Логическое умножение известно как функция И.
Элемент ИЛИ — это логическая схема, на выходе которой появляется 1, если на любой из его входов подана 1. На его выходе появляется О, если на все его входы поданы О. Этот элемент, как и элемент И. может иметь два или более входов. На рис. 12.47 показаны стандартные обозначения, используемые для элементов ИЛИ с двумя, тремя и четырьмя входами.Значения на выходе элемента ИЛИ с двумя входами приведены в таблице истинности (табл. 12.3):
А и В — входы; Y – выход
Элемент ИЛИ выполняет логическую операцию сложения.
Элемент НЕ выполняет функцию, которая называется инверсией, или дополнением, и обычно называется инвертором. Цель инвертора — сделать состояние выхода противоположным состоянию входа. В логических цепях возможны два состояния 1 и О. Состояние 1 также называют высоким, чтобы указать, что напряжение в этом состоянии выше, чем в состоянии 0.
Схематическое обозначение инвертора показано на рис. 12.48.
Работу инвертора отражает таблица истинности (табл. 12.4). Вход инвертора обозначен А, а выход А (читается «не А»), Черточка над буквой А показывает отрицание А. Поскольку инвертор имеет только один вход, то возможны только два состояния входа.
Элемент И-НЕ является комбинацией элементов И и НЕ. Элемент И-НЕ является наиболее широко используемой логической функцией. Это обусловлено тем. что эти элементы могут быть использованы для создания некоторых других логических элементов.
Схематическое обозначение элемента И-НЕ показано на рис. 12.49. Ни рисунке также показана его эквивалентность последователю включенным элементу И и инвертору. Кружочек ни выходе обозначает инвертирование функции И.
Ниже приведена таблица истинности для двухвходового элемента И-НЕ (табл. 12.5). Заметим, что выход элемента И-НЕ является отрицанием выхода элемента И. Подача О на любой вход дает на выходе1.
Элемент ИЛИ-НЕ является комбинацией элемента ИЛИ и инвертора. Подобно элементу И-НЕ, элемент ИЛИ НЕ также может быть использован для создания других логических элементов. Схематическое обозначение элемента ИЛИ-НЕ показало на рис. 12.50. На рисунке также показана его эквивалентность последовательно включенным элементу ИЛИ и инвертору. Кружочек но выходе показывает инвертирование функции ИЛИ.
Таблица 12.6 — таблица истинности для двухвходового элемента ИЛИ-НЕ. Заметим, что его выход является отрицанием выхода элемента ИЛИ. 1 на выходе появляется только тогда, когда на оба входа поданы О- Если на любой из входов подана 1, то на выходе будет О. Существуют элементы ИЛИ-НЕ с двумя, тремя, четырьмя и восемью входами.
ТТЛ логика
В ТТЛ операцию «И» выполняет многоэмиттерный транзистор. Если хотя бы на один из входов будет подаваться сигнал логического нуля, соответствующий эмиттерный переход транзистора VT1 будет открыт, и через него будет протекать ток от плюса источника питания (ИП), через резистор R1, база-эмиттер VT1, общий провод, минус источника питания. В цепи коллектора VT1, а следовательно, и в цепи базы VT2, ток будет отсутствовать, транзистор VT2 будет находиться в режиме отсечки, на выходе будет высокий уровень напряжения логической единицы. При подаче на оба входа логических единиц оба эмиттерных перехода закрываются, и ток будет протекать по цепи от плюса ИП, через R1, база-
коллектор VT1 и на базу VT2. Транзистор VT2 перейдёт в режим насыщения и на выходе установится низкий уровень напряжения логического нуля.
26 Шифратор — это комбинационное устройство, преобразующее десятичные числа в двоичную систему счисления, причем каждому входу может быть поставлено в соответствие десятичное число, а набор выходных логических сигналов соответствует определенному двоичному коду. Число входов и выходов в полном шифраторе связано соотношением п = 2т, где п — число входов, т — число выходов. Основное назначение шифратора — преобразование номера источника сигнала в код (например, номера нажатой кнопки некоторой клавиатуры).
Дешифратором называется комбинационное устройство, преобразующее n-разрядный двоичный код в логический сигнал, появляющийся на том выходе, десятичный номер которого соответствует двоичному коду. Число входов и выходов в так называемом полном дешифраторе связано соотношением т = 2n, где п — число входов, а т — число выходов. Если в работе дешифратора используется неполное число выходов, то такой дешифратор называется неполным. Так, например, дешифратор, имеющий 4 входа и 16 выходов, будет полным, а если бы выходов было только 10, то он являлся бы неполным.
Дешифратор — одно из широко используемых логических устройств. Его применяют для построения различных комбинационных устройств.
Так, микросхема КР531ИД14 представляет собой два дешифратора 2 х 4, т. е. каждый дешифратор имеет два информационных входа и четыре инверсных выхода, а также инверсный вход разрешения.
Цифры на входе (1,2) обозначают вес разряда двоичного числа, а цифры на выходе (0—3) определяют десятичное число, соответствующее заданному числу на входе.
При логической 1 на входе разрешения на всех выходах будут также логические 1. При активизации входа разрешения, т. е. при Е = 0, логический 0 появляется на том выходе дешифратора, номер которого соответствует десятичному эквиваленту двоичного числа, поданного на информационные входы. Благодаря наличию входа разрешения можно наращивать размерность дешифраторов.
27. Мультиплексором называют комбинационное устройство, обеспечивающее передачу в желаемом порядке цифровой информации, поступающей по нескольким входам на один выход. Мультиплексоры обозначают через MUX (от англ. multiplexor), а также через MS (от англ. multiplexor selector). Схематически мультиплексор можно изобразить в виде коммутатора, обеспечивающего подключение одного из нескольких входов (их называют информационными) к одному выходу устройства. Кроме информационных входов в мультиплексоре имеются адресные входы и, как правило, разрешающие (стробирующие). Сигналы на адресных входах определяют, какой конкретно информационный канал подключен к выходу. Если между числом информационных входов n и числом адресных входов m действует соотношение n = 2m, то такой мультиплексор называют полным. Если n < 2m, то мультиплексор называют неполным.
Демультиплексором называют устройство, в котором сигналы с одного информационного входа поступают в желаемой последовательности по нескольким выходам в зависимости от кода на адресных шинах. Таким образом, демультиплексор в функциональном отношении противоположен мультиплексору. Демультиплексоры обозначают через DMX или DMS.
Если соотношение между числом выходов n и числом адресных входов m определяется равенством n = 2m, то такой демультиплексор называется полным, при n < 2m демультиплексор является неполным.
Мультиплексор-демультиплексор К561КП1
Cодержит два четырехвходовых мультиплексора
4 → 1, которые могут использоваться
и как демультиплексоры.
28.Различают полные сумматоры и полусумматоры. Полный сумматор предназначен для сложения трех одноразрядных чисел A, B и C, где в качестве числа C выступает перенос из предыдущего разряда P. В результате выполнения операции сложения в каждом разряде, кроме суммы, может возникнуть перенос в старший разряд P. Для построения схемы сумматора составим таблицу истинности .
Таблица истинности полного сумматора
По таблице составим логические выражения СДНФ, описывающие работу полного сумматора:
Полученные выражения приводят к достаточно сложной схемной реализации полного сумматора в базисах И-НЕ или ИЛИ-НЕ. Поэтому полный сумматор обычно строится из двух полусумматоров.
Полусумматор при выполнении операции сложения не учитывает переноса из предыдущего разряда. Работу полусумматора можно описать:
Таблица истинности полусумматора
Из таблицы следует:
Реализация полусумматора показана на рис. 2.2,а. На рис. 2.2,б показано его условное обозначение.
Полный сумматор строится из двух полусумматоров по схеме приведенной на рис. 2.3,а. Условное обозначение полного сумматора показано на рис. 2. 3,б.
Рис. 2. 3. Схема полного сумматора и его условное обозначение
Для сложения n — разрядных чисел требуется один полусумматор в младшем разряде и n- 1 полных сумматоров (рис. 2. 4).
Сумматоры с различной разрядностью выпускаются в виде ЦИС.
Например: 155ИМ1 – одноразрядный сумматор; 155ИМ2 – двухразрядный
сумматор; 155ИМ3 – четырехразрядный сумматор.
29.Триггером называется устройство с двумя устойчивыми состояниями. Триггеры представляют собой простейшие последовательностные устройства и широко используются в электронных устройствах различного назначения как в виде самостоятельных узлов, так и в качестве элементов для построения более сложных цифровых устройств (счетчиков, регистров, запоминающих устройств). К триггерам относят большой класс устройств, отличительной особенностью которых является способность оставаться в одном из двух устойчивых состояний, которые могут изменяться под действием внешних сигналов. При этом состояния триггера распознаются по уровням выходных напряжений, соответствующих уровням “0” и “1”.
Основным свойством триггера является наличие памяти, под которой подразумевается его способность сохранять свое состояние (“0” или “1”) и после прекращения воздействия внешних сигналов. Таким образом, триггер является элементарной ячейкой памяти для хранения одного двоичного разряда числа.
Обобщенная схема триггерного устройства показана на рис. 3.1 и состоит из устройства управления УУ и триггерной ячейки ТЯ.
Существует множество разновидностей триггеров, отличающихся выполняемыми функциями, способами управления записью информации, схемотехническими решениями и т.д. По выполняемым функциям классификацию триггеров производят по состоянию его выходов в момент его срабатывания и после. При этом различают следующие основные виды: RS, JK, T и D — триггеры. По способу управления записью информации различают:
• асинхронные триггеры с записью непосредственно с поступлением информационного сигнала на его вход;
• тактируемые (синхронные) триггеры с записью информации только при подаче тактирующего импульса.
При этом срабатывание триггера может происходить одновременно с поступлением тактирующего импульса (триггер, работающий по уровню), после окончания тактирующего
импульса (триггер с внутренней задержкой), прохождения нескольких тактирующих импульсов (многотактные триггеры), или в моменты изменения состояния тактирующего импульса (синхронизация по фронту).
RS – триггеры
RS–триггер имеет два управляющих входа S (set) и R (reset), с помощью которых выполняются установки триггера в то или иное состояние (рис. 3. 2,а):
Q = 1 при S=1 и R=0 ( установка триггера);
Q = 0 при S=0 и R=1 (сброс триггера);
Qn+1=Qnпри S=R=0 (режим хранения предыдущего состояния);
S=R=1 – запрещенная комбинация управляющих сигналов, которая
может привести к неопределенному состоянию триггера.
Учитывая связь текущего состояния триггера Qn+1 с предыдущим состоянием Qn при различных комбинациях управляющих сигналов S и R, из табл. 3. 1 можно сформировать сокращенную таблицу истинности (табл. 3. 2). Рассматриваемый триггер является асинхронным, т.к. изменение его состояния происходит непосредственно с поступлением управляющих сигналов. Принцип работы асинхронного RS-триггера поясняется временными диаграммами, показанными на рис. 3. 3.
Схемотехнически RS-триггер может быть реализован на элементах 2ИЛИ-НЕ (рис. 3. 2,б) и 2И-НЕ (рис. 3.2,в) с использованием перекрестных положительных обратных связей. В триггере на элементах 2И-НЕ изменение состояния происходит при низких уровнях сигналов S и R . В синхронных RS-триггерах могут быть использованы различные способы синхронизации. На рис. 3. 4,а и б показаны схемотехническая реализация и условное обозначение RS-триггера с синхронизацией по уровню (высокому). На рис. 3. 4,в приведены диаграммы работы такого триггера. Изменение состояний происходит только при высоких уровнях сигнала синхронизации С.
В RS-триггере с синхронизацией по фронту изменение состояния происходит в момент изменения уровня сигнала С. При этом возможна синхронизация как по переднему, так и по заднему фронту (срезу). Такие триггеры строятся по двухступенчатой схеме и в них процессы приема и записи данных разделены во времени. Схема триггера с синхронизацией по заднему фронту и его условное обозначение приведены на рис. 3. 5.
30.JK-триггеры
JK-триггер имеет два управляющих входа J (jump) и K (keep) и функционирует подобно RS-триггеру, но при этом не имеет запрещенных комбинаций управляющих сигналов. J — вход подобен S – входу, а K-вход подобен R-входу. При всех комбинациях сигналов на входе, кроме J=K=1, он действует подобно RS-триггеру. При J=K=1 в каждом такте происходит «опрокидывание» триггера и его состояние меняется на противоположное (табл. 3. 3). На рис. 3. 6 показано условное обозначение JK-триггера c синхронизацией по переднему фронту.
JK-триггеры относятся к универсальным устройствам в отношении их применения как для построения других типов триггеров, так и более сложных устройств последовательного принципа действия. Во всех сериях ИС выпускаются JK-триггеры с различными функциональными возможностями. Например, ИС 155ТВ1 (рис. 3. 8) имеет по три входа J и K, связанных логической операцией И, что существенно расширяет возможности ее применения при реализации различных алгоритмов управления состояниями триггера без применения дополнительных элементов.
Т-триггеры
Т-триггеры иначе называются счетными и применяются для построения счетчиков и делителей частоты. Такой триггер имеет один тактовый вход и его состояние меняется каждый раз при подаче счетного импульса Т=1 и остается неизменным при Т=0. Таблица состояния триггера приведена в табл. 3. 4. Обозначение Т-триггера и диаграммы работы приведены на рис. 3. 9.
D –триггеры
Отличительной особенностью D-триггера (триггера задержки) является то, что он сохраняет информацию, поступившую на D-вход в предыдущем такте работы до прихода синхроимпульса, т.е. его состояние может изменяться с задержкой на один такт. Синхронизация работы производится по переднему или заднему фронту. Условное обозначение D-триггера с синхронизацией по переднему фронту и диаграммы его работы показаны на рис. 3. 11.
>ВРемонт.su — ремонт фото видео аппаратуры, бытовой техники, обзор и анализ рынка сферы услуг
Транзисторы — режим насыщения
Между простой переключающей схемой и линейным усилителем на транзисторе имеется очевидное различие. В нормально работающем линейном усилителе коллекторный ток всегда прямо пропорционален базовому току. В переключающей схеме, такой как на рис. 1., коллекторный ток определяется, главным образом, напряжением питания VCC и сопротивлением нагрузки RL. Режим насыщения транзистора является достаточно важным и заслуживает подробного обсуждения.
Рис. 1. Иллюстрация режима насыщения. Транзистор действует как ключ для включения лампы.
Рассмотрим, что происходит с коллекторным током в схеме на рис. 1, если базовый ток постепенно увеличивается, начиная от нуля. Когда ключ S1 разомкнут, базовый ток не течет и ток коллектора ничтожно мал. Замыкание S1 приводит к появлению тока базы IB = VCC/RB, где мы пренебрегли разностью потенциалов на переходе база-эмиттер. Ток коллектора, протекающий по нагрузке RL, равен IC=hFEVCC/RB. Для конкретной схемы, приведенной на рисунке, при hFE = 100 и при максимальном значении RB (50 кОм) получим:
IC=100×10/5000 А=20 мА
Падение напряжения на RL определяется произведением RLIC и в нашем случае равно 50 х 0,02 = 1 В. Транзистор при этом находится в линейном режиме; уменьшение RB приводит к увеличению тока базы, увеличению тока коллектора и, следовательно, к увеличению падения напряжения на RL. В этих условиях схема могла бы быть использована как усилитель напряжения.
Теперь рассмотрим случай, когда
RB=hFERL
и ток базы равен
IB=VCC/RB=VCC/(hFERL)
Следовательно, коллекторный ток равен
IC=(hFEVCC)/(hFERL)=VCC/RL
С точки зрения нагрузки транзистор ведет себя как пара контактов ключа. Из закона Ома следует, что ток нагрузки в этой ситуации не может превышать величины VCC/RL. Поэтому дальнейшее увеличение тока базы не может увеличить ток коллектора, который определяется теперь только сопротивлением нагрузки и напряжением питания. Транзистор находится в насыщении. На практике при насыщении транзистора между коллектором и эмиттером всегда остается небольшое напряжение, обычно обозначаемое VCE(sat). Как правило, оно меньше 1 В и может доходить до 0,1 B y транзисторов, специально предназначенных для работы в качестве ключей. Обычно VCE(sat) уменьшается по мере того, как через переход база-эмиттер течет все больший ток, то есть в случае, когда отношение тока коллектора IC к току базы IB становится значительно меньше, чем коэффициент усиления тока транзистора hFE.
Грубо говоря, глубокое насыщение (малое значение VCE(sat)) имеет место, когда
IC/IB < hFE/5
Для схемы типа той, какая показана на рис. 1, когда ток базы задается просто подключением резистора к источнику питания, мы выбираем
RB/RL < hFE/5
Следовательно, для схемы на рис. 1, принимая типичное для транзистора 2N3053 (аналог КТ630Б — см. аналоги отечественных и зарубежных транзисторов) значение коэффициента усиления тока hFE = 150, имеем
RB/RL < 150/5 = 30.
Следовательно, при RL = 50 Ом мы выбираем
RB < 30 х 50 Ом = 1,5 кОм.
Итак, если в качестве нагрузки используется лампа с сопротивлением 50 Ом, то для ее эффективного включения нам следует выбрать сопротивление базового резистора меньше 1,5 кОм. Если это невозможно, когда, например, в качестве RB используется фоторезистор с минимальным сопротивлением 10 кОм, то следует воспользоваться схемой Дарлингтона, чтобы увеличить коэффициент усиления тока.
Если биполярный транзистор работает с током коллектора, близким к максимальному, и нужно поддержать напряжение VCE(sat) на уровне долей вольта, то из-за уменьшения hFE может понадобиться базовый ток больше, чем Iс/10.
Возможно покажется неожиданным, что VCE(sat) может быть много меньше, чем напряжение VBE, которое у кремниевого транзистора равно примерно 0,6 В. Происходит это потому, что в режиме насыщения переход коллектор-база смещен в прямом направлении. Следовательно, мы имеем два р-n перехода, смещенных в прямом направлении, включенных навстречу друг другу так, что падения напряжения на них взаимно компенсируются. Эта способность биполярного транзистора иметь в режиме насыщения очень маленькое падение напряжения между коллектором и эмиттером, делает его весьма полезным переключающим прибором. Многие из наиболее важных применений электроники, включая обширную область цифровой электроники, используют переключающие схемы.
В режиме переключений транзистор работает либо с фактически нулевым током коллектора (транзистор выключен) или с фактически нулевым напряжением на коллекторе (транзистор включен). В обоих случаях мощность, рассеиваемая на транзисторе, очень мала. Значительная мощность рассеивается только в то время, когда происходит переключение: в это время и напряжение коллектор-эмиттер и ток коллектора имеют конечные значения.
Маломощный транзистор, такой как 2N3053, с максимально допустимой рассеиваемой мощностью менее одного ватта, может переключать мощность в нагрузке в несколько ватт. Следует обратить внимание на то, что максимальные значения коллекторного напряжения и тока не должны выходить за допустимые пределы; кроме того, желательно осуществлять переключения возможно быстрее, чтобы избежать рассеяния чрезмерно большой мощности.
Устройство
Упрощённая схема поперечного разреза планарного биполярного n-p-n транзистора.
Биполярный транзистор состоит из трёх полупроводниковых слоёв с чередующимся типом примесной проводимости: эмиттера (обозначается «Э», англ. E), базы («Б», англ. B) и коллектора («К», англ. C). В зависимости от порядка чередования слоёв различают n-p-n (эмиттер — n-полупроводник, база — p-полупроводник, коллектор — n-полупроводник) и p-n-p транзисторы. К каждому из слоёв подключены проводящие невыпрямляющие контакты.
С точки зрения типов проводимостей эмиттерный и коллекторный слои не различимы, но при изготовлении они существенно различаются степенью легирования для улучшения электрических параметров прибора. Коллекторный слой легируется слабо, что повышает допустимое коллекторное напряжение. Эмиттерный слой — сильно легированный: величина пробойного обратного напряжения эмиттерного перехода не критична, так как обычно в электронных схемах транзисторы работают с прямосмещённым эмиттерным переходом. Кроме того, сильное легирование эмиттерного слоя обеспечивает лучшую инжекцию неосновных носителей в базовый слой, что увеличивает коэффициент передачи по току в схемах с общей базой. Слой базы легируется слабо, так как располагается между эмиттерным и коллекторным слоями и должен иметь большое электрическое сопротивление.
Общая площадь перехода база-эмиттер выполняется значительно меньше площади перехода коллектор-база, что увеличивает вероятность захвата неосновных носителей из базового слоя и улучшает коэффициент передачи. Так как в рабочем режиме переход коллектор-база обычно включён с обратным смещением, в нём выделяется основная доля тепла, рассеиваемого прибором, и повышение его площади способствует лучшему охлаждению кристалла. Поэтому на практике биполярный транзистор общего применения является несимметричным устройством (то есть инверсное включение, когда меняют местами эмиттер и коллектор, нецелесообразно).
Для повышения частотных параметров (быстродействия) толщину базового слоя делают меньше, так как этим, в том числе, определяется время «пролёта» (диффузии в бездрейфовых приборах) неосновных носителей. Но при снижении толщины базы снижается предельное коллекторное напряжение, поэтому толщину базового слоя выбирают исходя из разумного компромисса.
В первых транзисторах в качестве полупроводникового материала использовался металлический германий. Полупроводниковые приборы на его основе имеют ряд недостатков, и в настоящее время (2015 г.) биполярные транзисторы изготавливают в основном из монокристаллического кремния и монокристаллического арсенида галлия. Благодаря очень высокой подвижности носителей в арсениде галлия приборы на его основе обладают высоким быстродействием и используются в сверхбыстродействующих логических схемах и в схемах СВЧ-усилителей.
Принцип работы
В активном усилительном режиме работы транзистор включён так, что его эмиттерный переход смещён в прямом направлении (открыт), а коллекторный переход смещён в обратном направлении (закрыт).
В транзисторе типа n-p-n основные носители заряда в эмиттере (электроны) проходят через открытый переход эмиттер-база (инжектируются) в область базы. Часть этих электронов рекомбинирует с основными носителями заряда в базе (дырками). Однако, из-за того, что базу делают очень тонкой и сравнительно слабо легированной, бо́льшая часть электронов, инжектированных из эмиттера, диффундирует в область коллектора, так как время рекомбинации относительно велико. Сильное электрическое поле обратносмещённого коллекторного перехода захватывает неосновные носители из базы (электроны) и переносит их в коллекторный слой. Ток коллектора, таким образом, практически равен току эмиттера, за исключением небольшой потери на рекомбинацию в базе, которая и образует ток базы (Iэ=Iб + Iк).
Коэффициент α, связывающий ток эмиттера и ток коллектора (Iк = α Iэ), называется коэффициентом передачи тока эмиттера. Численное значение коэффициента α = 0,9—0,999. Чем больше коэффициент, тем эффективней транзистор передаёт ток. Этот коэффициент мало зависит от напряжения коллектор-база и база-эмиттер. Поэтому в широком диапазоне рабочих напряжений ток коллектора пропорционален току базы, коэффициент пропорциональности равен β = α/(1 − α), от 10 до 1000. Таким образом, малый ток базы управляет значительно бо́льшим током коллектора.
Режимы работы
Напряжения на эмиттере, базе, коллекторе ( U E , U B , U C {\displaystyle U_{E},U_{B},U_{C}} ) |
Смещение перехода база-эмиттер для типа n-p-n |
Смещение перехода база-коллектор для типа n-p-n |
Режим для типа n-p-n |
---|---|---|---|
U E < U B < U C {\displaystyle U_{E}<U_{B}<U_{C}} | прямое | обратное | нормальный активный режим |
U E < U B > U C {\displaystyle U_{E}<U_{B}>U_{C}} | прямое | прямое | режим насыщения |
U E > U B < U C {\displaystyle U_{E}>U_{B}<U_{C}} | обратное | обратное | режим отсечки |
U E > U B > U C {\displaystyle U_{E}>U_{B}>U_{C}} | обратное | прямое | инверсный активный режим |
Напряжения на эмиттере, базе, коллекторе ( U E , U B , U C {\displaystyle U_{E},U_{B},U_{C}} ) |
Смещение перехода база-эмиттер для типа p-n-p |
Смещение перехода база-коллектор для типа p-n-p |
Режим для типа p-n-p |
U E < U B < U C {\displaystyle U_{E}<U_{B}<U_{C}} | обратное | прямое | инверсный активный режим |
U E < U B > U C {\displaystyle U_{E}<U_{B}>U_{C}} | обратное | обратное | режим отсечки |
U E > U B < U C {\displaystyle U_{E}>U_{B}<U_{C}} | прямое | прямое | режим насыщения |
U E > U B > U C {\displaystyle U_{E}>U_{B}>U_{C}} | прямое | обратное | нормальный активный режим |
Нормальный активный режим
Переход эмиттер-база включён в прямом направлении (открыт), а переход коллектор-база — в обратном (закрыт):
UЭБ>0; UКБ<0 (для транзистора n-p-n типа), для транзистора p-n-p типа условие будет иметь вид UЭБ<0; UКБ>0.
Инверсный активный режим
Эмиттерный переход имеет обратное смещение, а коллекторный переход — прямое: UКБ>0; UЭБ<0 (для транзистора n-p-n типа).
Режим насыщения
Оба p-n перехода смещены в прямом направлении (оба открыты). Если эмиттерный и коллекторный р-n-переходы подключить к внешним источникам в прямом направлении, транзистор будет находиться в режиме насыщения. Диффузионное электрическое поле эмиттерного и коллекторного переходов будет частично ослабляться электрическим полем, создаваемым внешними источниками Uэб и Uкб. В результате уменьшится потенциальный барьер, ограничивавший диффузию основных носителей заряда, и начнётся проникновение (инжекция) дырок из эмиттера и коллектора в базу, то есть через эмиттер и коллектор транзистора потекут токи, называемые токами насыщения эмиттера (IЭ. нас) и коллектора (IК. нас).
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (UКЭ. нас) — это падение напряжения на открытом транзисторе (смысловой аналог RСИ. отк у полевых транзисторов). Аналогично напряжение насыщения база-эмиттер (UБЭ. нас) — это падение напряжения между базой и эмиттером на открытом транзисторе.
Режим отсечки
В данном режиме коллекторный p-n переход смещён в обратном направлении, а на эмиттерный переход может быть подано как обратное, так и прямое смещение, не превышающее порогового значения, при котором начинается эмиссия неосновных носителей заряда в область базы из эмиттера (для кремниевых транзисторов приблизительно 0,6—0,7 В).
Режим отсечки соответствует условию UЭБ<0,6—0,7 В, или IБ=0.
Барьерный режим
В данном режиме база транзистора по постоянному току соединена накоротко или через небольшой резистор с его коллектором, а в коллекторную или в эмиттерную цепь транзистора включается резистор, задающий ток через транзистор. В таком включении транзистор представляет собой своеобразный диод, включённый последовательно с токозадающим резистором. Подобные схемы каскадов отличаются малым количеством комплектующих, хорошей развязкой по высокой частоте, большим рабочим диапазоном температур, нечувствительностью к параметрам транзисторов.
Схемы включения
Любая схема включения транзистора характеризуется двумя основными показателями:
- Коэффициент усиления по току Iвых/Iвх.
- Входное сопротивление Rвх = Uвх/Iвх.
Схема включения с общей базой
Схема включения с общей базой. Основная статья: Усилительный каскад с общей базой
- Среди всех трёх конфигураций обладает наименьшим входным и наибольшим выходным сопротивлением. Имеет коэффициент усиления по току, близкий к единице, и большой коэффициент усиления по напряжению. Не инвертирует фазу сигнала.
- Коэффициент усиления по току: Iвых/Iвх = Iк/Iэ = α .
- Входное сопротивление Rвх = Uвх/Iвх = Uэб/Iэ.
Входное сопротивление (входной импеданс) усилительного каскада с общей базой мало зависит от тока эмиттера, при увеличении тока — снижается и не превышает единиц — сотен Ом для маломощных каскадов, так как входная цепь каскада при этом представляет собой открытый эмиттерный переход транзистора.
Достоинства
- Хорошие температурные и широкий частотный диапазон, так как в этой схеме подавлен эффект Миллера.
- Высокое допустимое коллекторное напряжение.
Недостатки
- Малое усиление по току, равное α, так как α всегда немного менее 1
- Малое входное сопротивление
Схема включения с общим эмиттером
Схема включения с общим эмиттером.
Iвых = Iк
Iвх = Iб
Uвх = Uбэ
Uвых = Uкэ. Основная статья: Каскад с общим эмиттером
- Коэффициент усиления по току: Iвых/Iвх = Iк/Iб = Iк/(Iэ-Iк) = α/(1-α) = β .
- Входное сопротивление: Rвх = Uвх/Iвх = Uбэ/Iб.
Достоинства
- Большой коэффициент усиления по току.
- Большой коэффициент усиления по напряжению.
- Наибольшее усиление мощности.
- Можно обойтись одним источником питания.
- Выходное переменное напряжение инвертируется относительно входного.
Недостатки
- Имеет меньшую температурную стабильность. Частотные свойства такого включения по сравнению со схемой с общей базой существенно хуже, что обусловлено эффектом Миллера.
Схема с общим коллектором
Схема включения с общим коллектором.
Iвых = Iэ
Iвх = Iб
Uвх = Uбк
Uвых = Uкэ. Основная статья: Эмиттерный повторитель
- Коэффициент усиления по току: Iвых/Iвх = Iэ/Iб = Iэ/(Iэ-Iк) = 1/(1-α) = β+1 .
- Входное сопротивление: Rвх = Uвх/Iвх = (Uбэ + Uкэ)/Iб.
Достоинства
- Большое входное сопротивление.
- Малое выходное сопротивление.
Недостатки
- Коэффициент усиления по напряжению немного меньше 1.
Схему с таким включением часто называют «эмиттерным повторителем».
Основные параметры
- Коэффициент передачи по току.
- Входное сопротивление.
- Выходная проводимость.
- Обратный ток коллектор-эмиттер.
- Время включения.
- Предельная частота коэффициента передачи тока базы.
- Обратный ток коллектора.
- Максимально допустимый ток.
- Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.
Параметры транзистора делятся на собственные (первичные) и вторичные. Собственные параметры характеризуют свойства транзистора, независимо от схемы его включения. В качестве основных собственных параметров принимают:
- коэффициент усиления по току α;
- сопротивления эмиттера, коллектора и базы переменному току rэ, rк, rб, которые представляют собой:
- rэ — сумму сопротивлений эмиттерной области и эмиттерного перехода;
- rк — сумму сопротивлений коллекторной области и коллекторного перехода;
- rб — поперечное сопротивление базы.
Эквивалентная схема биполярного транзистора с использованием h-параметров.
Вторичные параметры различны для различных схем включения транзистора и, вследствие его нелинейности, справедливы только для низких частот и малых амплитуд сигналов. Для вторичных параметров предложено несколько систем параметров и соответствующих им эквивалентных схем. Основными считаются смешанные (гибридные) параметры, обозначаемые буквой «h».
Входное сопротивление — сопротивление транзистора входному переменному току при коротком замыкании на выходе. Изменение входного тока является результатом изменения входного напряжения, без влияния обратной связи от выходного напряжения.
h11 = Um1/Im1, при Um2 = 0.
Коэффициент обратной связи по напряжению показывает, какая доля выходного переменного напряжения передаётся на вход транзистора вследствие обратной связи в нём. Во входной цепи транзистора нет переменного тока, и изменение напряжения на входе происходит только в результате изменения выходного напряжения.
h12 = Um1/Um2, при Im1 = 0.
Коэффициент передачи тока (коэффициент усиления по току) показывает усиление переменного тока при нулевом сопротивлении нагрузки. Выходной ток зависит только от входного тока без влияния выходного напряжения.
h21 = Im2/Im1, при Um2 = 0.
Выходная проводимость — внутренняя проводимость для переменного тока между выходными зажимами. Выходной ток изменяется под влиянием выходного напряжения.
h22 = Im2/Um2, при Im1 = 0.
Зависимость между переменными токами и напряжениями транзистора выражается уравнениями:
Um1 = h11Im1 + h12Um2; Im2 = h21Im1 + h22Um2.
В зависимости от схемы включения транзистора к цифровым индексам h-параметров добавляются буквы: «э» — для схемы ОЭ, «б» — для схемы ОБ, «к» — для схемы ОК.
Для схемы ОЭ: Im1 = Imб, Im2 = Imк, Um1 = Umб-э, Um2 = Umк-э. Например, для данной схемы:
h21э = Imк/Imб = β.
Для схемы ОБ: Im1 = Imэ, Im2 = Imк, Um1 = Umэ-б, Um2 = Umк-б.
Собственные параметры транзистора связаны с h-параметрами, например для схемы ОЭ:
h 11 ∍ = r δ + r ∍ 1 − α {\displaystyle h_{11\backepsilon }=r_{\delta }+{\frac {r_{\backepsilon }}{1-\alpha }}} ;
h 12 ∍ ≈ r ∍ r κ ( 1 − α ) {\displaystyle h_{12\backepsilon }\approx {\frac {r_{\backepsilon }}{r_{\kappa }(1-\alpha )}}} ;
h 21 ∍ = β = α 1 − α {\displaystyle h_{21\backepsilon }=\beta ={\frac {\alpha }{1-\alpha }}} ;
h 22 ∍ ≈ 1 r κ ( 1 − α ) {\displaystyle h_{22\backepsilon }\approx {\frac {1}{r_{\kappa }(1-\alpha )}}} .
С повышением частоты заметное влияние на работу транзистора начинает оказывать ёмкость коллекторного перехода Cк. Его реактивное сопротивление уменьшается, шунтируя нагрузку и, следовательно, уменьшая коэффициенты усиления α и β. Сопротивление эмиттерного перехода Cэ также снижается, однако он шунтируется малым сопротивлением перехода rэ и в большинстве случаев может не учитываться. Кроме того, при повышении частоты происходит дополнительное снижение коэффициента β в результате отставания фазы тока коллектора от фазы тока эмиттера, которое вызвано инерционностью процесса перемещения носителей через базу от эммитерного перехода к коллекторному и инерционностью процессов накопления и рассасывания заряда в базе. Частоты, на которых происходит снижение коэффициентов α и β на 3 дБ, называются граничными частотами коэффициента передачи тока для схем ОБ и ОЭ соответственно.
В импульсном режиме ток коллектора изменяется с запаздыванием на время задержки τз относительно импульса входного тока, что вызвано конечным временем пробега носителей через базу. По мере накопления носителей в базе ток коллектора нарастает в течение длительности фронта τф. Временем включения транзистора называется τвкл = τз + τф.